
产品概述:
●专门用于硅-碳化合物(SiC)的离子激活和退火处理,可实现SiC片在高温真空环境下完成活性工艺。
产品简介:
●设备适用于SiC基功率器件制造中的离子激活和退火工艺环节
●加热腔与工艺腔独立密闭设计,提供工艺腔的洁净度
产品特点:
●采用立式结构、工艺控制好、温度分布均匀、气流稳定
●Robot自动传送(可选)
●多点控温,温度均匀
●具有多种报警功能及安全保护功能
●加热腔与工艺腔独立密闭设计,提供工艺腔的洁净度
技术指标:
●晶片尺寸:4/6/8英寸 工作温度范围:800-2000℃ 装片量:50片
应用范围:
●用于SiC基半导体材料的离子激活和退火处理