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SiC高温氧化炉
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发布日期:2022-12-05
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详细介绍

产品概述:

●专门用于硅-碳化合物(SiC)的氧化处理,可实现SiC片在高温真空环境下完成高温氧化工艺。氧化工艺使用湿法氧化气体或N2O、NO、NO2,采用双真空系统,是最安全的毒性气体氧化炉。


产品简介:

●设备适用于SiC基功率器件制造中的高温氧化工艺环节

●加热腔与工艺腔独立密闭设计,提供工艺腔的洁净度


产品特点:

●采用立式结构、工艺控制好、温度分布均匀、气流稳定

●Robot自动传送(可选)

●多点控温,温度均匀

●具有多种报警功能及安全保护功能

●加热腔与工艺腔独立密闭设计,提供工艺腔的洁净度



技术指标:

●晶片尺寸:4/6/8英寸

●工作温度范围:800-1500 ℃

●装片量:50片


应用范围:

●用于SiC基半导体材料的高温氧化处理

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