产品概述：

主要用于4-8英寸砷化镓、磷化铟等化合物单晶生长

设备由机架、安瓿支撑机构、加热器和控制系统组成

能够实现安瓿移动和转动的精确控制

产品特点：

工业计算机控制系统（WINDOWS系统界面，操作方便简洁）

关键部件均采用进口，确保设备的高可靠性

控温精度高，温区控温稳定性好

具有断电报警、超温、欠温报警、极限超温报警等多种安全保护功能

速度可调的梯形波、三角波及正弦波等旋转功能

单晶质量高

技术指标：

晶片类型：4/6英寸 工作温度范围:1100℃

加热器最高温度：1250℃ 控温精度：±0.5℃

控温段数：4段 炉腔压力:4MPa

应用范围：

广泛用于材料的坩埚下降的单晶生长