产品概述：

●该设备是半导体生产线前工序的重要工艺设备之ー，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金和烧结等工艺。

●水平管式炉的设计考虑了硅片生产的多种工艺性能需要，具有生长效率高、产品性能优越的特点。

●具有污染低、占地面积小、温度均匀、可装载晶圆尺寸大、工艺稳定性高等优点。

●主要用于初始氧化层、屏蔽氧化层、衬垫氧化层、牺牲氧化层、场氧化层等多种氧化介质层的制备工艺。

产品特点：

●高洁净度：包括材料、工艺环境等

●高精度：包括炉内温度、进气流量、排气压力、运动控制等

●高安全性：包括气体泄漏检测、气流检测、人机互锁等

技术指标：

●晶片类型：2-8英寸晶圆 ●工作温度范围：800℃-1150℃

●恒温区长度：≥860mm ●可根据客户要求定制产品

应用范围：

广泛用于半导体材料的氧化处理，也可用于推阱、退火、合金、掺杂等工艺。