产品概述：
●PECVD主要应用于氧化硅（SiO2）和氮化硅（Si3N4）材料的薄膜生长，工作原理是在低压引入高频射频电源，采取电容耦合方式使工艺气体电离放电，形成等离子体状态，产生大量的活性基团，这些活性基团在衬底材料表面发生化学反应并沉积到村底表面，生长出氧化硅（Si02）或氮化硅（Si3N4）薄膜。
产品特点：
●成膜质量高
●体积小占地面积小,操作简便
●具有良好的工艺性能，使用范围广泛
技术指标：
●晶片尺寸:最大8英寸
●温度：50℃-900℃
●真空系统：干泵+分子泵
应用范围：
●应用于半导体器件、电力电子器件、光电子等行业氧化硅（SiO2）或氮化硅（Si3N4）薄膜的制备。