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PECVD(立式/卧式)
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发布日期:2022-04-26
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详细介绍


产品概述:

●PECVD主要应用于氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)材料的薄膜生长,工作原理是在低压引入高频射频电源,采取电容耦合方式使工艺气体电离放电,形成等离子体状态,产生大量的活性基团,这些活性基团在衬底材料表面发生化学反应并沉积到村底表面,生长出氧化硅(Si02)或氮化硅(Si3N4)薄膜。


产品特点:

●成膜质量高

●体积小占地面积小,操作简便

●具有良好的工艺性能,使用范围广泛


技术指标:

●晶片尺寸:最大8英寸

●温度:50℃-900℃

●真空系统:干泵+分子泵



应用范围:

●应用于半导体器件、电力电子器件、光电子等行业氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)薄膜的制备。

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