产品概述：

●LPCVD设备是半导体集成电路制造的重要设备之一，主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生长,它是将原材料气体(或者液态源气化)用热能激活发生化学反应而在基片表面生成固体薄膜。LPCVD过程是在低压下进行的，由于气压低，气体分子平均自由程大，使生长的薄膜均匀性好，此外基片可以竖放使得设备装片量大，特别适用于工业化生产。

●立式LPCVD采用钟罩式结构，设计嵌套腔体机械手传片组件、舟旋转组件，具有占地面积小、成膜均匀性高、工艺稳定性高等优点。主要用于二氧化硅、掺杂多晶硅、氮化硅膜层的制备工艺。

产品特点：

●全自动传送，定位精准，稳定可靠

●高洁净度工艺环境，有效控制污染

●成膜均匀性高

●温度控制采用串级控制方式，对基片实际温度进行实时智能控制

●装载采用碳化硅(SiC)悬臂桨，避免了与工艺管磨擦产生粉尘

●工作压力闭环自动控制，提高工艺稳定性和重复性

技术指标：

●晶片类型：2-8英寸晶圆

●工作温度范围：500℃-1000℃

●恒温区长度：≥860mm

●控温精度：±1℃

应用范围：

●广泛用于半导体行业中的薄膜制备，包括石墨烯、二氧化硅、硼磷硅玻璃、氮化硅、掺杂多晶硅等多种薄膜。