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碳化硅PVT晶体生长设备
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发布日期:2020-08-21
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详细介绍

产品概述:

●本设备主要用于碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)单晶生长


产品特点:

●提供两种工艺包

①外形包:产出6英寸碳化硅(SiC)单晶,外形不开裂

②工艺包:1、产出6英寸碳化硅(SiC)单晶,生产效率3.5炉/月

2、晶体长度:≥15mm,微管密度:≤3个/cm2

3、位错密度:104~105个/cm2

●温度最高可达2400℃

●加热方式:感应、电阻

●衬底尺寸:4/6/8英寸


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