产品概述：
●本设备主要用于碳化硅（SiC）、氮化铝（AlN）单晶生长
产品特点：
●提供两种工艺包
①外形包：产出6英寸碳化硅（SiC）单晶，外形不开裂
②工艺包：1、产出6英寸碳化硅（SiC）单晶，生产效率3.5炉/月
2、晶体长度：≥15mm，微管密度：≤3个/cm2
3、位错密度：104~105个/cm2
●温度最高可达2400℃
●加热方式：感应、电阻
●衬底尺寸：4/6/8英寸
