产品概述：
●用于氮化镓（GaN）单晶生长
●用于氧化镓（Ga2O3）、氮化铝（AlN）、磷化铟（InP）外延生长
产品特点：
●基础工艺包
1.氮化镓（GaN）单晶生长尺寸：2英寸
2.单晶生长速率：≥50微米/小时
3.蓝宝石村底外延生长氮化镓（GaN）单晶层厚度：＜200微米
●衬底：2/4/6英寸
●数量：1片/多片
●立式/卧式结构合理可靠，满足客户多种尺寸衬底，多种操作方式需要
●控温精度高，温区稳定性好
●完美可靠的安全保护功能：硬件保护+软件互锁
